NJVMJD45H11G Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 20 W |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 90 MHz |