NJW0281G Биполярные транзисторы - BJT 150W
Биполярные транзисторы - BJT 150W
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-3P |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | NJW0302 |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 150000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 250 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 250 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 75 |