NSS12100UW3TCG Биполярные транзисторы - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379192
Биполярные транзисторы - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | WDFN |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NSS12100UW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 1100 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 12 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 75 at 1 A at 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 10 mA at 2 V |