NSS1C201LT1G Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NSS1C201L |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 710 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 110 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 360 |