NSS20201MR6T1G Биполярные транзисторы - BJT 2A 20V Low VCEsat
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379211
Биполярные транзисторы - BJT 2A 20V Low VCEsat
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NSS20201MR6 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 460 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |