NSS40300DDR2G Биполярные транзисторы - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379228
Биполярные транзисторы - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-8 Narrow |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NSS40300DD |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 783 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 40 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.135 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 10 mA at 2 V |