NSS40300MDR2G Биполярные транзисторы - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379229
Биполярные транзисторы - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-8 Narrow |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NSS40300MD |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 783 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 10 mA at 2 V, 220 at 500 mA at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 10 mA at 2 V |