NSS40301MDR2G Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOIC-8 Narrow |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NSS40301MD |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 783 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA at 2 V, 200 at 500 mA at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 180 at 2 A at 2 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 10 mA at 2 V |