Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NSS40301MDR2G Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8 купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NSS40301MDR2G Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1379232

NSS40301MDR2G Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

Биполярные транзисторы - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOIC-8 Narrow
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияNSS40301MD
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности783 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 mA at 2 V, 200 at 500 mA at 2 V, 180 at 1 A at 2 V, 180 at 2 A at 2 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200 at 10 mA at 2 V