NSS60601MZ4T3G Биполярные транзисторы - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
Биполярные транзисторы - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-223 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NSS60601MZ4 |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |