NST30010MXV6T1G Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED GP XTT PNP
Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED GP XTT PNP
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NST30010MXV6 |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 661 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz (Min) |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 uA at 5 V, 420 at 2 mA at 5 V |