NST65010MW6T1G Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched PNP Tra
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379261
Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched PNP Tra
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 65 V, - 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 80 V, - 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V, - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 300 mV, - 300 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA, - 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz, 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 0.9 at - 2 mA at - 5 V, 0.9 at - 2 mA at - 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 1.1 at - 2 mA at - 5 V, 1.1 at - 2 mA at - 5 V |