Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NST847BPDP6T5G Биполярные транзисторы - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963 купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NST847BPDP6T5G Биполярные транзисторы - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1379266

NST847BPDP6T5G Биполярные транзисторы - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963

Биполярные транзисторы - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-963
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияNST847BPDP6T5G
Размер фабричной упаковки8000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности420 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN, PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA at 5 V at NPN, 220 at 2 mA at 5 V at PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200 at 2 mA at 5 V