NST856BF3T5G Биполярные транзисторы - BJT PNP GP TRANSISTOR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379268
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP TRANSISTOR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-1123 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NST856BF3T5G |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 347 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA at 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA at 5 V |