NSTB1005DXV5T1G Биполярные транзисторы - BJT 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
Биполярные транзисторы - BJT 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-553-5 |
---|---|
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NSTB1005DXV5 |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 at 5 mA at 10 V at NPN |