Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
NSV1C201MZ4T1G Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

NSV1C201MZ4T1G Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1379279

NSV1C201MZ4T1G Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA

Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-223-3
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияNSS1C201MZ4
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности800 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)140 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.18 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.360