NSV20101JT1G Биполярные транзисторы - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379282
Биполярные транзисторы - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SC-89 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NSS20101J |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 350 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 m at 2 V, 200 at 100 mA at 2 V, 150 at 500 mA at 2 V, 100 at 1 A at 2 V |