NSVEMX1DXV6T1G Биполярные транзисторы - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
Биполярные транзисторы - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-563 |
---|---|
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | EMX1 |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |