NTLJF3117PT1G МОП-транзистор PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
МОП-транзистор PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | WDFN-6 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NTLJF3117P |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Время спада | 13.2 ns, 15 ns |
Время нарастания | 13.2 ns, 15 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
Id - непрерывный ток утечки | - 3.3 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.1 S |
Типичное время задержки выключения | 13.7 ns, 19.8 ns |
Типичное время задержки при включении | 5.2 ns, 5.5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 P-Channel |