NTP8G206NG МОП-транзистор GAN 600V 17A 150MO
МОП-транзистор GAN 600V 17A 150MO
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Технология | GaN |
Pd - рассеивание мощности | 96 W |
Время спада | 4 ns |
Время нарастания | 4.5 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 340 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 18 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
Qg - заряд затвора | 6.2 nC |
Типичное время задержки выключения | 9.7 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.2 ns |
Канальный режим | Enhancement |