NVD5807NT4G МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
МОП-транзистор POWER МОП-транзистор
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
---|---|
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NTD5807N |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 33 W |
Время спада | 2 ns |
Время нарастания | 20.4 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Qg - заряд затвора | 12.6 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8.1 S |
Тип транзистора | 1 N-Channel |