NVD5865NLT4G МОП-транзистор NFET 60V 34A 18MOHM
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1379989
МОП-транзистор NFET 60V 34A 18MOHM
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NVD5865NL |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 71 W |
| Время спада | 4.4 ns |
| Время нарастания | 12.4 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 46 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.4 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |