NZT660A Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor Low Saturation
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor Low Saturation
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-223 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | NZT660 |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | NZT660A_NL |
Вес изделия | 188 mg |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 75 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 550 |