pbss4130t,215 Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 1A LOW SAT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 1A LOW SAT
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-236AB |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | PBSS4130T T/R |
Pd - рассеивание мощности | 480 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 1 A at 2 V, 300 at 500 mA at 2 V, 350 at 100 mA at 2 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 A at 2 V |