Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
pbss4160dpn,115 Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

pbss4160dpn,115 Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

Производитель
NXP Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1380492

pbss4160dpn,115 Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSC-74-6
Торговая маркаNXP Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 65 C
Другие названия товара №PBSS4160DPN T/R
Pd - рассеивание мощности290 mW, 420 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN, PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Максимальный постоянный ток коллектора+/- 2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)185 MHz, 220 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250 at 1 mA at 5 V