pbss4160ds,115 Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1380493
Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | PBSS4160DS T/R |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V, 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V, 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V, 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV, 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A, 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 220 MHz, 220 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 1 A at 5 V, 100 at 1 A at 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 1 mA at 5 V |