Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
PBSS4160DSH Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

PBSS4160DSH Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor

Производитель
NXP Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1380494

PBSS4160DSH Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor

Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSOP-6
Торговая маркаNXP Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 65 C
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности700 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN, NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)220 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at 1 mA, 5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500 at 1 mA, 5 V