pbss4580pa,115 Биполярные транзисторы - BJT 80V 5.6A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT 80V 5.6A NPN LOW VCESAT TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-1061 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 155 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 45 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 425 |