pbss5130pap,115 Биполярные транзисторы - BJT 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1380554
Биполярные транзисторы - BJT 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DFN2020-6 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 1450 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 85 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 350 |