pbss5320x,135 Биполярные транзисторы - BJT PNP 20V 3A LO VCESAT
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1380589
Биполярные транзисторы - BJT PNP 20V 3A LO VCESAT
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | UPAK |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | /T3 PBSS5320X |
| Pd - рассеивание мощности | 1600 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 0.1 A at 2 V, 220 at 0.5 A at 2 V, 200 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V, 100 at 3 A at 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 0.1 A at 2 V |