pbss9110x,135 Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | UPAK |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | /T3 PBSS9110X |
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 at 1 mA at 5 V, 150 at 250 mA at 5 V, 150 at 0.5 A at 5 V, 125 at 1 A at 5 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 at 1 mA at 5 V |