PD85006-E РЧ МОП-транзисторы RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1380697
РЧ МОП-транзисторы RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Усиление | 15 dB at 870 MHz |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tube |
| Серия | PD85006-E |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 36.5 W |
| Выходная мощность | 6 W |
| Рабочая частота | 1 GHz |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V |