pemz7,315 Биполярные транзисторы - BJT 12V 300mW NPN/PNP gen purpose transist
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1381037
Биполярные транзисторы - BJT 12V 300mW NPN/PNP gen purpose transist
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-666 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 420 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |