PHPT610030NPKX Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP high power double bipolar trans
Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP high power double bipolar trans
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
---|---|
Упаковка / блок | LFPAK-56-8 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 1500 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V, - 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V, - 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V, - 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 225 mV, - 220 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A, - 3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz, 125 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 at 3 A, 10 V, 10 at - 3 A, - 10 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 500 mA, 10 V, 200 at - 500 mA, - 10 V |