pmbt3946vpn,115 Биполярные транзисторы - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-666 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 240 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 60 at 0.1 mA at 1 V |