pmbt5551,215 Биполярные транзисторы - BJT NPN HV 300mA 160V
Биполярные транзисторы - BJT NPN HV 300mA 160V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | PMBT5551 T/R |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.3 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 at 1 mA at 5 V |