pmbta56,215 Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 500MA 80V
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 500MA 80V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | PMBTA56 T/R |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 100 mA at 1 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 10 mA at 1 V |