PMDXB600UNEZ МОП-транзистор 20 V, dual N-channel Trench МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1381248
МОП-транзистор 20 V, dual N-channel Trench МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DFN1010B-6 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Время спада | 51 ns |
| Время нарастания | 9.2 ns |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms, 3 Ohms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V, 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA, 600 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 8 V, +/- 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV, 450 mV |
| Qg - заряд затвора | 0.4 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 S |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.6 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |