pmzb350upe,315 МОП-транзистор 20 V, dual P-channel Trench МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1381400
МОП-транзистор 20 V, dual P-channel Trench МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DFN1006B-3 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 715 mW |
| Время спада | 9 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 940 mOhms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | - 1.4 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 450 mV |
| Qg - заряд затвора | 1.3 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.4 S |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |