PN4356 Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SW
Биполярные транзисторы - BJT PNP Gen Pur SW
Характеристики
Упаковка / блок | TO-92 |
---|---|
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | PN4356 |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Другие названия товара № | BK |
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |