PSMN1R5-30BLEJ МОП-транзистор N-channel 30 V 1.5 mo FET
МОП-транзистор N-channel 30 V 1.5 mo FET
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
---|---|
Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 401 W |
Время спада | 99.2 ns |
Время нарастания | 156.1 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.7 V |
Qg - заряд затвора | 228 nC |
Типичное время задержки выключения | 191.8 ns |
Типичное время задержки при включении | 100.6 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |