Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
PSMN6R0-30YLDX МОП-транзистор N-channel 30 V 6 mo FET купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

PSMN6R0-30YLDX МОП-транзистор N-channel 30 V 6 mo FET

Производитель
NXP Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1381662

PSMN6R0-30YLDX МОП-транзистор N-channel 30 V 6 mo FET

МОП-транзистор N-channel 30 V 6 mo FET

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокLFPAK-4
Торговая маркаNXP Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки1500
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности47 W
Время спада10.9 ns
Время нарастания16.2 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6.7 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки66 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.83 V
Qg - заряд затвора13.7 nC
Типичное время задержки выключения10.5 ns
Типичное время задержки при включении9 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel