PSMN7R6-100BSEJ МОП-транзистор N-channel 100 V 7.6 mo FET
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1381680
МОП-транзистор N-channel 100 V 7.6 mo FET
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 296 W |
| Время спада | 47 ns |
| Время нарастания | 48 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 75 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 128 nC |
| Типичное время задержки выключения | 82 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |