PSMN7R8-120ESQ МОП-транзистор N-channel 120 V 7.9 mo FET
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1381684
МОП-транзистор N-channel 120 V 7.9 mo FET
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | I2PAK-3 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 349 W |
| Время спада | 60.8 ns |
| Время нарастания | 55.3 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.72 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 120 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 167 nC |
| Типичное время задержки выключения | 151.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45.5 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |