Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
PT5529B-L2-F Фототранзисторы IR Phototransistor купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

PT5529B-L2-F Фототранзисторы IR Phototransistor

Производитель
Everlight

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1585595

PT5529B-L2-F Фототранзисторы IR Phototransistor

Фототранзисторы IR Phototransistor

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 85 C
Упаковка / блокSide View
Торговая маркаEverlight
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаBulk
Размер фабричной упаковки500
Минимальная рабочая температура- 25 C
ПродуктPhototransistors
ТипSide Face Silicon Phototransistor
Pd - рассеивание мощности75 mW
Время спада15 us
Время нарастания15 us
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
Темновой ток100 nA
Длина волны940 nm
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии20 mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер30 V