PT5529B-L2-F Фототранзисторы IR Phototransistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1585595
Фототранзисторы IR Phototransistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | Side View |
| Торговая марка | Everlight |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Минимальная рабочая температура | - 25 C |
| Продукт | Phototransistors |
| Тип | Side Face Silicon Phototransistor |
| Pd - рассеивание мощности | 75 mW |
| Время спада | 15 us |
| Время нарастания | 15 us |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Темновой ток | 100 nA |
| Длина волны | 940 nm |
| Максимальный ток коллектора во включенном состоянии | 20 mA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |