PZT751T1G Биполярные транзисторы - BJT 2A 80V PNP
Биполярные транзисторы - BJT 2A 80V PNP
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | PZT751 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 0.8 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 75 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |