QSZ1TR Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 12V 2A 5PIN
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 12V 2A 5PIN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TSMT |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | QSZ1 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 200 mA at 2 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 at 200 mA at 2 V |