RGT40NS65DGTL Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A Field Stop Trench IGBT
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1382133
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | RGT40NS65D |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Pd - рассеивание мощности | 161 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 200 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |