rn1101mfv,l3f Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1382165
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | 1.2 mm x 0.8 mm x 0.5 mm |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |