rn1111mfv(tpl3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10Kohms
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10Kohms
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | VESM-3 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 700 |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |