rn1117mfv(tpl3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 15 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Типичный коэффициент деления резистора | 2.13 |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |